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半導(dǎo)體主要的測(cè)試環(huán)節(jié)：WAT、CP、FT
2023-12-25 17:20
WAT（Wafer Acceptance Test）測(cè)試，也叫PCM（Process Control Monitoring），對(duì)Wafer 劃片槽（Scribe Line）測(cè)試鍵（Test Key）的測(cè)試，通過(guò)電性參數(shù)來(lái)監(jiān)控各步工藝是否正常和穩(wěn)定。CP（Circuit Probing）也叫“Wafer Probe”或者“Die Sort”，是對(duì)整片Wafer的每個(gè)Die的基本器件參數(shù)進(jìn)行測(cè)試，例如Vt（閾值電壓），Rdson（導(dǎo)通電阻），BVdss（源漏擊穿電壓），Igss（柵源漏電流），Idss（漏源漏電流）等，把壞的Die挑出來(lái)，會(huì)用墨點(diǎn)（Ink）標(biāo)記，可以減少封裝和測(cè)試的成本，CP pass才會(huì)封裝，一般測(cè)試機(jī)臺(tái)的電壓和功率不高，CP是對(duì)Wafer的Die進(jìn)行測(cè)試，檢查Fab廠制造的工藝水平。CP測(cè)試程序和測(cè)試方法優(yōu)化是Test Engineer努力的方向。FT（final test）是對(duì)封裝好的Chip進(jìn)行Device應(yīng)用方面的測(cè)試，把壞的chip挑出來(lái)，F(xiàn)T pass后還會(huì)進(jìn)行process qual和product qual，F(xiàn)T是對(duì)package進(jìn)行測(cè)試，檢查封裝造廠的工藝水平。
總而言之，WAT是在晶圓制造過(guò)程中進(jìn)行的測(cè)試，通過(guò)對(duì)Die與Die之間Scribe Line Test Key電學(xué)性能的測(cè)試，來(lái)監(jiān)控Fab制程的穩(wěn)定性；CP測(cè)試是制造完成后，封測(cè)之前進(jìn)行的電學(xué)測(cè)試，把壞的Die標(biāo)記出來(lái)，減少封裝的成本；FT是Die切割，打磨，封裝后進(jìn)行器件功能性的測(cè)試，可以評(píng)價(jià)封測(cè)廠的封裝水平，只有所有的測(cè)試都通過(guò)后，才可以應(yīng)用到產(chǎn)品上。
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